Foto 1 do produto Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V para Desktop
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Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V para Desktop

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O que é a Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V Desktop?

A Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V Desktop é um módulo de memória DDR4 SDRAM de baixo consumo, construído com chips DDR4 padrão JEDEC para uso em computadores desktop. Indicada para quem precisa ampliar a capacidade de processamento simultâneo do PC sem elevar o consumo elétrico do sistema.

Opera a uma taxa de dados de 2666 Mbps com tensão de 1,2 V (±0,06 V), usa o speed bin DDR4-2666 (CL 19-19-19) e implementa recursos como ZQ calibration, Write CRC, DBI (Data Bus Inversion) e auto-refresh/self-refresh. Isso significa transferências mais rápidas, integridade de dados nas escritas e gerenciamento eficiente de energia em uso contínuo.

Módulo novo, com garantia de 1 ano, suporte técnico especializado da Lojamundi e troca em 7 dias sem burocracia.

  • Velocidade DDR4-2666 com latência CAS 19-19-19 para resposta consistente.
  • Tensão de 1,2 V conforme padrão JEDEC, com menor dissipação térmica.
  • Componentes RoHS, lead-free e halogen-free para operação confiável de 0 °C a +95 °C.

Solução de memória volátil indicada para upgrade de desktops, estações de trabalho e PCs corporativos.

Divisor

Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V Desktop – Velocidade, Eficiência Energética e Padrão JEDEC

A Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V Desktop é construída sobre chips DDR4 SDRAM da própria Kingston, padrão DDR4, com arquitetura double-data-rate e prefetch de 8 bits. O resultado é uma resposta rápida para tarefas de escritório, navegação com muitas abas, edição leve e softwares corporativos do dia a dia.

Velocidade DDR4-2666 com Latência Otimizada

A memória opera a uma taxa de dados de 2666 Mbps, no speed bin DDR4-2666 com latência CL-tRCD-tRP de 19-19-19. Esse conjunto de tempos garante leituras e escritas em alta frequência sem variações de desempenho perceptíveis ao usuário.

A faixa de CAS Latency suportada (11, 13, 15, 17, 18, 19, 20 e 22) e a CAS Write Latency (9, 10, 11, 12, 14, 16, 18) permitem que a placa-mãe escolha o melhor perfil de tempos para a sua configuração.

Tensão de 1,2 V – Mais Eficiência, Menos Calor

A operação em 1,2 V (±0,06 V), conforme padrão JEDEC, reduz o consumo em relação a memórias DDR3 e diminui a geração de calor. A faixa de trabalho oficial vai de 1,14 V a 1,26 V, garantindo estabilidade mesmo em variações da fonte.

A linha auxiliar VPP de 2,5 V alimenta a ativação interna dos bancos, mantendo a integridade do sinal mesmo em uso intenso.

Recursos Técnicos Avançados para Confiabilidade

Write CRC

Verificação por código CRC nas operações de escrita, reduzindo erros em transferências contínuas.

ZQ Calibration

Calibração automática da impedância dos drivers de saída para sinais limpos em alta frequência.

DBI e Data Mask

Inversão de barramento (DBI) e mascaramento de escrita reduzem ruído e consumo durante transferências.

Arquitetura de Bancos e Burst

  • 16 bancos internos organizados em 4 bank groups x 4 bancos (configuração x8), aumentando o paralelismo de acessos.
  • Burst Length 8 e 4 com Burst Chop, permitindo flexibilidade entre vazão e latência.
  • Modos sequencial e interleave programáveis para ajuste fino do controlador de memória.
  • Troca de Burst Length "on the fly" para adaptar-se à carga de trabalho em tempo real.

Gestão Inteligente de Energia

A memória implementa auto-refresh e self-refresh, com período médio de 7,8 µs em faixa comercial. Em temperaturas elevadas (acima de 85 °C), o refresh é dobrado para 3,9 µs, preservando a integridade dos dados.

Recursos como LP ASR (Low Power Auto Self Refresh), TCAR (Temperature Controlled Auto Refresh) e Maximum Power Saving Mode minimizam o consumo em períodos de inatividade, ideal para PCs que ficam ligados longas horas.

Conformidade Ambiental e Robustez

  • Em conformidade com a diretiva RoHS.
  • Componentes lead-free e halogen-free.
  • Faixa de temperatura operacional de 0 °C a +95 °C (commercial).
  • Solda livre de chumbo (Sn-Ag-Cu) nos contatos FBGA.

Especificações Técnicas

  • Tecnologia do chip: DDR4 SDRAM de 8 Gbit por die.
  • Velocidade: 2666 Mbps (DDR4-2666).
  • Latência (CL-tRCD-tRP): 19-19-19.
  • Tensão VDD: 1,2 V ±0,06 V (1,14 V a 1,26 V).
  • Tensão VPP: 2,5 V (2,375 V a 2,75 V).
  • Bancos internos: 16 bancos (4 grupos x 4 bancos).
  • Burst Length: 4 e 8, com Burst Chop.
  • Interface: Pseudo Open Drain (POD).
  • Temperatura operacional: 0 °C a +95 °C.
  • Encapsulamento do chip: 78-ball FBGA (x8) — lead-free e halogen-free.

Garanta o upgrade do seu PC com módulos confiáveis. Confira mais opções de memória RAM e demais componentes na Lojamundi.

Garantia e Política de Troca


Garantia: 1 ano contra defeitos de fabricação

Condição: Produto novo e lacrado
Troca ou Devolução: Em até 7 dias — ver política completa.

Energia e Eficiência


Tensão de Operação (VDD): 1,2 V ±0,06 V (padrão JEDEC)

Faixa Operacional de VDD: 1,14 V a 1,26 V

Tensão de Ativação (VPP): 2,5 V (2,375 V a 2,75 V)

Modos de Refresh: Auto-refresh e Self-refresh

Período Médio de Refresh: 7,8 µs (0–85 °C) / 3,9 µs (acima de 85 °C)

Economia de Energia: Suporte a LP ASR e Maximum Power Saving Mode

Recursos Avançados


Write CRC: Suportado, para integridade nas escritas

ZQ Calibration: Suportada, para ajuste automático de impedância

Write Levelization: Suportado

Data Bus Inversion (DBI): Suporte a DBI e Data Mask

On Die Termination: ODT dinâmico com RTT_PARK e RTT_NOM

Paridade de Comando/Endereço: Modo CA Parity suportado

Velocidade e Latência


Tipo de Memória: DDR4 SDRAM

Taxa de Dados: 2666 Mbps

Speed Bin JEDEC: DDR4-2666 (CL-tRCD-tRP: 19-19-19)

CAS Latency Suportadas (CL): 11, 13, 15, 17, 18, 19, 20, 22

CAS Write Latency (CWL): 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18

Arquitetura Interna


Densidade do Chip: 8 Gbit

Bancos Internos: 16 bancos (4 grupos x 4 bancos) em configuração x8

Burst Length: 4 e 8 (com Burst Chop)

Arquitetura: Double-data-rate com prefetch de 8 bits

Interface: Pseudo Open Drain (POD)

Temperatura e Conformidade


Temperatura de Operação: 0 °C a +95 °C (commercial)

Temperatura de Armazenamento: -55 °C a +100 °C

Conformidade Ambiental: RoHS, Lead-free e Halogen-free

Solda dos Contatos: Lead-free (Sn-Ag-Cu)

Encapsulamento


Tipo de Package: 78-ball FBGA (configuração x8)

Dimensões do Package x8: 7,500 mm x 12,000 mm (altura 1,100 mm)

Diâmetro das Esferas: Ø 0,450 mm

Fabricante


Marca: Kingston

Fiscal


EAN: 0740617280000

* As especificações técnicas podem variar conforme o modelo da série. Em caso de dúvidas, entre em contato pelos nossos canais de atendimento.

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Perguntas Frequentes

O módulo opera no speed bin DDR4-2666, com taxa de dados de 2666 Mbps e tempos CL-tRCD-tRP de 19-19-19, garantindo desempenho consistente em desktops compatíveis com DDR4.

A memória trabalha em 1,2 V (padrão JEDEC), com tolerância de ±0,06 V, ou seja, faixa de 1,14 V a 1,26 V. Essa tensão reduzida diminui o consumo elétrico e o aquecimento dentro do gabinete.

A memória suporta CL 11, 13, 15, 17, 18, 19, 20 e 22 e CAS Write Latency (CWL) 9, 10, 11, 12, 14, 16 e 18, permitindo que a placa-mãe selecione o melhor perfil para a configuração do sistema.

A faixa operacional é de 0 °C a +95 °C (versão commercial). Entre 85 °C e 95 °C, o refresh é dobrado para 3,9 µs, mantendo a integridade dos dados em ambientes mais quentes.

Sim. Os chips estão em conformidade com a diretiva RoHS, são lead-free e halogen-free, e a solda dos contatos é de Sn-Ag-Cu (livre de chumbo).

O módulo suporta Write CRC para detectar erros em ciclos de escrita, ZQ Calibration para ajuste de impedância dos drivers, Write Levelization e CA Parity para verificação de paridade nos comandos e endereços.

A memória suporta auto-refresh, self-refresh, LP ASR (Low Power Auto Self Refresh), TCAR (Temperature Controlled Auto Refresh) e Maximum Power Saving Mode, reduzindo o consumo do PC durante períodos de inatividade.

Em configuração x8, são 16 bancos internos, organizados em 4 bank groups com 4 bancos cada. Essa organização aumenta o paralelismo de acessos e melhora o desempenho em cargas de trabalho simultâneas.

O módulo suporta Burst Length de 4 e 8, com função Burst Chop e troca de tamanho de burst on the fly, oferecendo flexibilidade entre vazão e latência conforme a aplicação.

Os chips utilizam a interface Pseudo Open Drain (POD), padrão do DDR4. Essa interface reduz a corrente de I/O em comparação com o SSTL usado no DDR3, contribuindo para a menor dissipação térmica.

Sim. O módulo conta com On Die Termination (ODT) dinâmica, com dois estados de terminação — RTT_PARK e RTT_NOM — alternáveis pelo pino ODT, garantindo integridade do sinal em alta frequência.

Sim. O produto é novo, acompanha garantia de 1 ano, conta com suporte técnico especializado da Lojamundi e oferece troca em 7 dias sem burocracia em caso de defeito.

O que dizem quem já comprou

Opiniões reais de clientes sobre o Memória RAM Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2V para Desktop

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Avaliação Geral

Aprovado por nossos clientes

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GRIMALDO
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09 de janeiro de 2020

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